石墨烯納米帶(GNRs)和六方氮化硼(h-BN)的平面內(nèi)集成生長為實現(xiàn)具有原子厚度的集成電路提供了一條有前景的途徑。然而，在h-BN晶格中制造邊緣特異性GNRs仍然是一個重大挑戰(zhàn)。在這里，我們開發(fā)了一種兩步法生長方法，成功實現(xiàn)了在h-BN中嵌入小于5納米寬的之字形和扶手椅形GNRs。傳輸測量結(jié)果顯示，小于7納米寬的之字形GNRs的帶隙開口與其寬度成反比，而較窄的扶手椅型GNRs的帶隙-寬度關系表現(xiàn)波動。在寬度為8-10 nm的之字形GNRs的傳輸曲線中觀察到明顯的電導峰，而在大多數(shù)扶手椅式GNRs中則沒有。之字形GNRs具有較小的磁導率，而扶手椅型GNRs具有較高的磁導率值。在h-BN中，這種邊緣特異性GNRs的集成側(cè)向生長為實現(xiàn)復雜的納米級電路提供了一條很有前途的途徑。
Fig. 1 h-BN中嵌入的定向GNrs的合成策略。
Fig. 2 嵌入h-BN頂層的邊緣特異性納米溝槽和GNRs。
Fig. 3 通過h-BN上的GNR設備進行電子傳輸。
Fig. 4 h-BN中相對較寬的GNrs中的場效應和磁電特性。
相關研究成果于2020年由中國科學院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所Haomin Wang課題組，發(fā)表在Nature Materials(https://doi.org/10.1038/s41563-020-00806-2)上。原文：Towards chirality control of graphene nanoribbons embedded in hexagonal boron nitride。
轉(zhuǎn)自《石墨烯雜志》公眾號：
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